全自动晶圆减薄前贴膜机 ATW-300

晶圆尺寸：8/12英寸，厚度：200-725um；

Wafer Size：Diameter:8” & 12”，Thickness: 200-725 um;

晶圆类型：硅，砷化镓，单平板或V-Notch；

Wafer Type: Si , GaAs Single Flat or V-Notch;

摆动精度：X-Y：+/-0.2mm，Theta：+/-0.5°；

Wafer Place Accuracy：X-Y: +/- 0.2 mm, Theta: +/- 0.5°；

输入和输出料盒：单个输入料盒和输出料盒，或客户指定料盒（样品供应）；

Input & Output ：Single Input Wafer Cassette / Single， Output Wafer Cassette ，Customer Specified (Sample Supply)；

切割系统：多轴精细精密轮廓切割机；边缘切割带加热器，高达120℃;

Cutting System ：Multi-Axis Fine Precision Profile Cutter; edge cutter heater, up to 120℃;

晶片产量：=为99.9%（不包括损坏晶片）；

Wafer Yield： >= 99.9 % (not include damage wafers)；

晶圆质量：无晶圆破损，无晶圆片划伤；

Taping Quality：No wafer broken, no wafer scratch；

对准机构：光纤传感器非接触点对准；

Alignment Fiber Sensor Non-contact Alignment ；

传送机构：带真空叉转移晶片的水平多链路机器人；

Wafer Transfer ：Horizontal Multi-link Robot with Vacuum fork transfer wafer；

ESD控制装置：带去离子风扇控制；

ESD Control Ion Blower Conversion Time：<= 15 Minutes；

转换时间：=15分钟；

ESD Control Ion Blower Conversion Time：<= 15 Minutes；

UPH：=65PCS；

UPH: >= 65 PCS;

SECS/GEM协议；

SECS/GEM Protocol